JOPTEC LASER CO., LTD
Componentes y el más allá del laser
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Nd: YVO4
Nd: YVO4 es el cristal de anfitrión más eficiente del laser para el diodo que bombea entre los cristales comerciales actuales del laser, especialmente, para el punto bajo a la densidad de poder media. Esto está principalmente para sus características de la absorción y de la emisión que superan el Nd: YAG. Bombeado por los diodos láser, Nd: El cristal YVO4 se ha incorporado con los altos cristales del coeficiente de NLO (LBO, BBO, o KTP) al frecuencia-cambio la salida del infrarrojo cercano a verde, a azul, o aún a ULTRAVIOLETA. Esta incorporación para construir todos los láseres de estado sólido es una herramienta ideal del laser que puede cubrir los usos más extensos de lasers, incluyendo trabajar a máquina, el tratamiento de materiales, la espectroscopia, la inspección de la oblea, exhibiciones ligeras, los diagnósticos médicos, impresión por láser, y el almacenamiento de datos, etc. Se ha mostrado que Nd: YVO4 basó el diodo bombeó los láseres de estado sólido está ocupando rápidamente los mercados dominados tradicionalmente por los lasers refrigerados por agua del ion y los lasers lámpara-bombeados, especialmente cuando se requieren las salidas del diseño compacto y del solo-longitudinal-modo.
Nd: Ventajas de YVO4 sobre el Nd: YAG:
• Tan alto como absorción cerca de cinco veces más grande eficiente sobre un ancho de banda de bombeo amplio alrededor de 808 nanómetro (por lo tanto, la dependencia en longitud de onda de bombeo es mucho más baja y una tendencia fuerte a la salida del solo modo);
• Tan grande como un corte transversal tres veces más grande de la emisión estimulada en la longitud de onda lasing de 1064nm;
• Un umbral lasing más bajo y una eficacia más alta de la cuesta;
• Como cristal uniaxial con una birrefringencia grande, la emisión es solamente polarizada linear.
Especificaciones
| Material | Nd: YVO4 |
| Concentración de dopante | 0,1 – el 3at% |
| Orientación | Uno-corte o C-corte |
| Tolerancia de la dimensión | ×L del ×H de W (+/--0,1) (+/--0,1) (+/--0,5) milímetro |
| distorsión del frente de onda | <> |
| Chaflán | <0> |
| Abertura clara | >el 90% |
| Llanura | λ/10@ 633 nanómetro |
| Microprocesadores | <0> |
| Rasguño/empuje | 10-5@MIL-0-13830A |
| Perpendicularity | minutos del arco ≤5 |
| Paralelismo | <20 arc="" seconds=""> |
| Umbral de daño | 1GW/cm2@1064nm 10ns 10HZ |
| Capa de antireflejos | R<0> |
Propiedades
| Estructura cristalina | Sistema tetragonal |
| Grupo del punto | D4h |
| Densidad | 4,22 g/cm2 |
| Dureza de Mohs | 4-5 |
| Coeficiente de la extensión termal | αa=4.43×10-6/K αc =11.37×10-6/K |
| Coeficiente de la conductividad termal | ⊥C: 51mw/cm.k //C: 52,3 mw /cm.k (300k) |
| Longitud de onda del laser | 1064nm, 1342nm |
| Longitud de onda de la bomba | 808nm |
| Corte transversal de la emisión estimulada | 25×10-19cm2 @ 1064nm |
| Curso de la vida fluorescente | 90μs (doping del Nd del 1%) |
| Coeficiente de absorción | 31.4cm-1 @810nm |
| Pérdida intrínseca | 0.02cm-1 @1064nm |
| Ancho de banda del aumento | 0.96nm@1064nm |
| Emisión polarizada del laser | polarización de p; paralelo al eje óptico (c-AXIS) |