JOPTEC LASER CO., LTD

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Paquete de vivienda hermético del esquema del transistor del casquillo TO5

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Ciudad:hefei
Provincia / Estado:anhui
País/Región:china
Persona de contacto:MrJACK HAN
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Paquete de vivienda hermético del esquema del transistor del casquillo TO5

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Lugar del origen :HEFEI, China
Cantidad de orden mínima :50 PC
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :5000000 PCS/Month
Plazo de expedición :30 días
Detalles de empaquetado :CAJAS
Ventaja 1 :4J29 (Kovar)
Aisladores de cristal :BH-G/K
Piso inferior :SPCC
Resistencia de aislamiento :resistencia de 100V DC
Hermeticity :≤2*10-3Pa.cm3/s
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Nombre de producto: En grandes cantidades al jefe del jefe TO-39
Galjanoplastia: La chapa fonda, el Ni de la galjanoplastia de la ventaja: 3-8.9um, la chapa fonda y la galjanoplastia Au>=0.03um de la ventaja.
Composición: Material Cantidad
1. Ventaja 1 4J29 (Kovar) 1
2. Ventaja 2 4J29 (Kovar) 3
3. Aisladores de cristal BH-G/K 3
4. Piso inferior SPCC 1
Resistencia de aislamiento la resistencia de 100V DC entre la solas ventaja y cáscara es ≥1*1010Ω
Hermeticity La tarifa del escape es ≤2*10-3Pa.cm3/s
Características de producto: 1.Shell adoptan el material: FeNiCo, FeNi42 o CRS;
la forma 2.The del perno es cyclinder y recto, el material adopta Kovar.
el método del casquillo de lacre 3.The es soldadura de percusión o soldadura de la lata.

la fila 4.The de perno que cruzan la parte inferior de la base podría ser elegida

por los clientes.

la posición 5.The del perno de tierra se puede elegir por el cliente.
el diseño 6.The de casquillos necesita caber la cáscara.
7.Customer podía elegir la cáscara completamente el platear o galjanoplastia selectiva del perno.
Carro de la investigación 0