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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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Transistores MOSFET de baja tensión de 55V de trinchera avanzada Protección de la batería TO-220AB TO-220F
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