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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / Low Voltage MOSFET / TO-220C LT50N06AP Bajo Término de Tensión Mosfet Canal N /

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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TO-220C LT50N06AP Bajo Término de Tensión Mosfet Canal N
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MOSFET de resistencia Rds bajo en TO-220C LT50N06AP Parte Número Paquete Muere. El canal Yo...D (A) V.El DSS (V) V.El GSS (V) V.Se trata de la(V) RDS ...
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