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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / Low VF Schottky / 10A HBT10L200SFCT Diodos de baja frecuencia con paquete TO-220F /

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsQinqin
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10A HBT10L200SFCT Diodos de baja frecuencia con paquete TO-220F
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10A200V HBT10L200SFCT Diodos de baja tensión hacia adelante Capacidad de alta sobrecarga Parte Número Paquete Muere. Yo (A) VBR @IR VF ((25°C) @ Si IR ...
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