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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsQinqin
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10A 200V Baja frecuencia de frecuencia de alta saturación de corriente inversa Diodos Schottky MBR10200FCT
Dec 12, 2024
10A 200V Baja frecuencia de frecuencia de alta saturación de corriente inversa Diodos Schottky MBR10200FCT
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10A200V Baja frecuencia de frecuencia de alta corriente de saturación inversa Diodos Schottky Rendimiento inmejorable MBR10200FCT Parte Número Paquete ...
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