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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Inversor IGBT

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

 [51]

MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

 [52]

Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsQinqin
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40A60V SBT40L60FCT Unidades de suministro de energía Diodos Schottky de baja frecuencia VF TO-220F
Dec 12, 2024
40A60V SBT40L60FCT Unidades de suministro de energía Diodos Schottky de baja frecuencia VF TO-220F
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40A60V SBT40L60FCT Unidades de suministro de energía Diodos Schottky de baja frecuencia VF TO-220F Parte Número Paquete Muere. Yo (A) VBR @IR VF ((25...
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