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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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20A100V Cantidad de superficie baja VF Schottky TO-263 SBT20V100DC Para el adaptador de alimentación
Dec 08, 2024
20A100V Cantidad de superficie baja VF Schottky TO-263 SBT20V100DC Para el adaptador de alimentación
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20A100V Cantidad de superficie baja VF Schottky TO-263 SBT20V100DC Para el adaptador de alimentación Parte Número Paquete Muere. Yo (A) VBR @IR VF (...
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