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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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MBR10150DC 10A150V TO-263 Rectificador de barrera de Schottky Baja tensión hacia adelante para el suministro de energía
Dec 08, 2024
MBR10150DC 10A150V TO-263 Rectificador de barrera de Schottky Baja tensión hacia adelante para el suministro de energía
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