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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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30A100V TO-263 SBT30L100DC Montaje de superficie Diodos Schottky de baja frecuencia con bajas pérdidas de potencia
Feb 07, 2025
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30A100V TO-263 SBT30L100DC Montaje de superficie Diodos Schottky de baja frecuencia con bajas pérdidas de potencia
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30A100V TO-263 SBT30L100DC Montaje de superficie Diodos Schottky de baja frecuencia con bajas pérdidas de potencia Parte Número Paquete Muere. Yo (A) ...
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