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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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SBT30L150DC 30A150V Diodo de barrera Schottky TO-263 de alta eficiencia para el suministro de energía
Dec 08, 2024
SBT30L150DC 30A150V Diodo de barrera Schottky TO-263 de alta eficiencia para el suministro de energía
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SBT30L150DC 30A150V Diodo de barrera Schottky TO-263 de alta eficiencia para el suministro de energía No Parte Número Paquete Muere. Yo (A) VBR @IR VF ...
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