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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Inversor IGBT

 [40]

IGBT de alta potencia

 [41]

MOSFET del poder más elevado

 [41]

MOSFET de súper unión

 [49]

MOSFET de bajo voltaje

 [83]

MOSFET de alto voltaje

 [59]

Diodos de barrera de Schottky

 [83]

Diodos de recuperación rápida

 [50]

Baja FV de Schottky

 [68]

Semiconductor de alta potencia

 [27]

MOSFET de carburo de silicio

 [21]

El carburo de silicio SBD

 [21]
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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Transistor de potencia multifunción e inversor IGBT 40A 1200V con conmutación rápida
Transistor de potencia multifunción e inversor IGBT 40A 1200V con conmutación rápida
  • Transistor de potencia multifunción e inversor IGBT 40A 1200V con conmutación rápida
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Transistor de potencia multifunción e inversor IGBT de alto voltaje 1200V 40A Características • Coeficiente de temperatura positivo • Cambios rápidos ...
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