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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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IGBT de alta potencia

 [41]

MOSFET del poder más elevado

 [41]

MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

 [83]

MOSFET de alto voltaje

 [59]

Diodos de barrera de Schottky

 [83]

Diodos de recuperación rápida

 [50]

Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Provincia / Estado:guangdong
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Transistor bipolar de puerta aislada industrial IGBT para pila de carga estable
Transistor bipolar de puerta aislada industrial IGBT para pila de carga estable
  • Transistor bipolar de puerta aislada industrial IGBT para pila de carga estable
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Puerta aislada industrial transistor bipolar pila de carga estable Ultra inversor IGBT Características • Coeficiente de temperatura positivo • Cambios ...
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