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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Provincia / Estado:guangdong
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Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N
Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N
  • Modo de mejora IGBT de inversor fiable y robusto Canal N
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Modo de mejora IGBT de inversor confiable y robusto Canal N Características • Coeficiente de temperatura positivo • Cambios rápidos • VCE bajo (sat) • ...
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