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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Inversor IGBT

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IGBT de alta potencia

 [51]

MOSFET del poder más elevado

 [51]

MOSFET de súper unión

 [51]

MOSFET de bajo voltaje

 [84]

MOSFET de alto voltaje

 [59]

Diodos de barrera de Schottky

 [82]

Diodos de recuperación rápida

 [51]

Baja FV de Schottky

 [66]

Semiconductor de alta potencia

 [28]

MOSFET de carburo de silicio

 [21]

El carburo de silicio SBD

 [21]
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Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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60A 650V Baja pérdida de conmutación Baja frecuencia de potencia IGBT para impulsar
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