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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / High Power Semiconductor / TO-247 N Canal Semiconductor de alta potencia para pila de carga /

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

 [51]

MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

 [59]

Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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TO-247 N Canal Semiconductor de alta potencia para pila de carga
TO-247 N Canal Semiconductor de alta potencia para pila de carga
  • TO-247 N Canal Semiconductor de alta potencia para pila de carga
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Descripción del producto: Tipo N Resistencia a altas temperaturas Baja fuga Baja capacidad de unión Semiconductor de potencia Diseñado con una baja ...
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