Productos proveedores Sign in Register

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
1 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / High Power Semiconductor / Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor /

show pictures

Categorías de Producto

Inversor IGBT

 [40]

IGBT de alta potencia

 [41]

MOSFET del poder más elevado

 [51]

MOSFET de súper unión

 [51]

MOSFET de bajo voltaje

 [84]

MOSFET de alto voltaje

 [59]

Diodos de barrera de Schottky

 [83]

Diodos de recuperación rápida

 [52]

Baja FV de Schottky

 [68]

Semiconductor de alta potencia

 [28]

MOSFET de carburo de silicio

 [21]

El carburo de silicio SBD

 [21]
Contacta
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsQinqin
Ver detalles de contacto
Contacta

Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor
Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor
  • Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor
Productos detallados
Descripción del producto: Uno de los beneficios más significativos de los semiconductores de alta tensión es su capacidad para manejar altos voltajes ...
Ver productos detallados →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4