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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / High Power Semiconductor / Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga /

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

 [51]

MOSFET de súper unión

 [51]

MOSFET de bajo voltaje

 [84]

MOSFET de alto voltaje

 [59]

Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

 [52]

Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga
Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga
  • Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga
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Descripción del producto: El semiconductor de alta potencia es particularmente útil en aplicaciones de pila de carga para vehículos eléctricos, donde ...
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