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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / High Power IGBT / Velocidad de conmutación rápida IGBT de alto voltaje 650V-1200V en paquete TO-247 /

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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Velocidad de conmutación rápida IGBT de alto voltaje 650V-1200V en paquete TO-247
Velocidad de conmutación rápida IGBT de alto voltaje 650V-1200V en paquete TO-247
  • Velocidad de conmutación rápida IGBT de alto voltaje 650V-1200V en paquete TO-247
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Velocidad de conmutación más rápida 650V-1200V Potencia IGBT en paquete TO-247 Descripción del producto: Con una velocidad de conmutación rápida, el ...
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