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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / High Power IGBT / Velocidad de conmutación más rápida TO-247 IGBT 650V-1200V para aspiradoras /

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsQinqin
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Velocidad de conmutación más rápida TO-247 IGBT 650V-1200V para aspiradoras
Velocidad de conmutación más rápida TO-247 IGBT 650V-1200V para aspiradoras
  • Velocidad de conmutación más rápida TO-247 IGBT 650V-1200V para aspiradoras
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Descripción del producto: Una de las características destacadas de este IGBT es su velocidad de conmutación más rápida, lo que lo hace ideal para ...
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