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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / High Power IGBT / TO-247 Modo de mejora de potencia IGBT 25A 1200V Capacidad de alta corriente /

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Inversor IGBT

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IGBT de alta potencia

 [41]

MOSFET del poder más elevado

 [51]

MOSFET de súper unión

 [51]

MOSFET de bajo voltaje

 [84]

MOSFET de alto voltaje

 [59]

Diodos de barrera de Schottky

 [83]

Diodos de recuperación rápida

 [52]

Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

 [28]

MOSFET de carburo de silicio

 [21]

El carburo de silicio SBD

 [21]
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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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TO-247 Modo de mejora de potencia IGBT 25A 1200V Capacidad de alta corriente
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