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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Ciudad:dongguan

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrsQinqin

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Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

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Lugar de origen :China.

Cantidad mínima de pedido :Pregunte

Condiciones de pago :T/T por adelantado (EXW)

Capacidad de suministro :600KK/año

Tiempo de entrega :2-30 días ((depende de la cantidad del pedido)

Detalles del embalaje :Tube+Carton

Velocidad que cambia :Velocidad de cambio más rápida

Nombre del producto :IGBT de alta potencia

Aplicación :OBC, pila de carga, máquina de soldadura, fuente de alimentación de conmutación, inversor fotovoltai

Ventajas :Diseño de mesa estrecha, diseño de combinación de ranuras más optimizado, diseño de mayor confiabili

Tipo de dispositivo :IGBT

Paquete :TO-247

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MOSFET multifuncional de bajo voltaje para gestión de energía

Características

• Coeficiente de temperatura positivo

• Conmutación de alta velocidad

• Baja tensión de saturación del colector con el emisor

• Facilidad de conmutación paralela

• Cortocircuito soporta tiempo de 10 μs

• Alto rendimiento de resistencia

Las aplicaciones

• Estación eléctrica portátil

• El conductor de automóviles

Envase:

TO-247

Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

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