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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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Casa / Productos / High Voltage MOSFET / 11A 400V MOSFET de alta tensión con baja resistencia en el canal N para UPS /

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IGBT de alta potencia

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de súper unión

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MOSFET de bajo voltaje

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MOSFET de alto voltaje

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Diodos de barrera de Schottky

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Diodos de recuperación rápida

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Baja FV de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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11A 400V MOSFET de alta tensión con baja resistencia en el canal N para UPS
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11A 400V MOSFET de alta tensión con baja resistencia en el canal N para UPS P1. ¿Quiénes somos? R:Estamos basados en Guangdong, China, la fábrica ...
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