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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

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SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

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MOSFET de carburo de silicio

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El carburo de silicio SBD

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
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China SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos wholesale
  • China SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos wholesale

SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos
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Lugar de origen :China.
Cantidad mínima de pedido :Pregunte
Condiciones de pago :T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de suministro :600KK/año
Tiempo de entrega :2-30 días ((depende de la cantidad del pedido)
Detalles del embalaje :Tube+Carton
Tipo de dispositivo :Diodo de barrera Sic Schottky
Velocidad que cambia :Conmutación de alta velocidad
Aplicaciones :SMPS, inversor solar, centro de datos, unidad de alimentación
Beneficios :Requisitos de baja disipación de calor
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SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos

 

Características
·Recuperación inversa insignificante
·Alta corriente de corriente
·Coeficiente de temperatura positivo
·Con mayor frecuencia
·Sin halógenos / conforme con la Directiva RoHS

 

Las aplicaciones
·SMPS
·Inversor solar
·Centro de datos
·UPS
 
Beneficios
·Conmutación de alta velocidad
·Bajos requisitos de disipación de calor
·Reducir el tamaño y el coste del sistema
·Alta fiabilidad
 
 
SBD de carburo de silicio de alto voltaje de ruptura para centro de datos
 
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