Productos
proveedores
Sign in
Register
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Manufacturer from China
Miembro activo
2 Años
Casa
Catalogo de productos
Perfil de la compañía
Control de calidad
Contáctenos
Solicitar un presupuesto
Español
English
Français
Русский язык
日本語
Português
Inversor IGBT (49)
IGBT de alta potencia (51)
MOSFET del poder más elevado (51)
MOSFET de súper unión (51)
MOSFET de bajo voltaje (84)
MOSFET de alto voltaje (59)
Diodos de barrera de Schottky (82)
Diodos de recuperación rápida (51)
Baja FV de Schottky (66)
Semiconductor de alta potencia (28)
MOSFET de carburo de silicio (21)
El carburo de silicio SBD (21)
Casa
/
Productos
/
Super Junction MOSFET
/
Baja pérdida de conducción Frío Mosfet 30A 650V 120mΩ Para fuentes de alimentación de modo conmutado
/
show pictures
Categorías de Producto
Inversor IGBT
[49]
IGBT de alta potencia
[51]
MOSFET del poder más elevado
[51]
MOSFET de súper unión
[51]
MOSFET de bajo voltaje
[84]
MOSFET de alto voltaje
[59]
Diodos de barrera de Schottky
[82]
Diodos de recuperación rápida
[51]
Baja FV de Schottky
[66]
Semiconductor de alta potencia
[28]
MOSFET de carburo de silicio
[21]
El carburo de silicio SBD
[21]
Contacta
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Ciudad:
dongguan
Provincia / Estado:
guangdong
País/Región:
china
Persona de contacto:
MrsQinqin
Ver detalles de contacto
Contacta
Baja pérdida de conducción Frío Mosfet 30A 650V 120mΩ Para fuentes de alimentación de modo conmutado
Productos detallados
30A 650V 120mΩ Baja pérdida de conducción Mosfet de enfriamiento para fuentes de alimentación de modo conmutado MOSFET de súper unión de canal N No de ...
Ver productos detallados →