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Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :Éntrenos en contacto con
Plazo de expedición :En existencia
Detalles de empaquetado :Estándar/nuevo/original
Polaridad del transistor :Canal N
Número de canales :1 canal
Empaquetado :Carrete
Modo del canal :Aumento
Paladio - disipación de poder :69w
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Ver descripción del producto
BSZ097N10NS5ATMA1/TSDSON-8/MOSFET
Ideal para la transferencia de alta frecuencia
Tecnología optimizada para los convertidores de DC/DC
Producto excelente de la RPS de la carga x de la puerta (encendido) (FOM)
Canal N, normallevel
la avalancha 100% probó
galjanoplastia Pb-libre; RoHS obediente
Calificado según JEDEC1) para los usos de la blanco
Halógeno-libre según lEC61249-2-21
Cualidad de producto
Valor del atributo
Infineon
Categoría de producto:
MOSFET
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
Canal N
1 canal
100 V
40 A
8,3 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,2 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Aumento
OptiMOS
OptiMOS 5
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca:
Infineon Technologies
Configuración:
Solo
Tiempo de caída:
5 ns
Transconductancia delantera - minuto:
23 S
Altura:
1,1 milímetros
Longitud:
3,3 milímetros
Tipo de producto:
MOSFET
Tiempo de subida:
5 ns
Cantidad del paquete de la fábrica:
5000
Subcategoría:
MOSFETs
Tipo del transistor:
1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
21 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:
11 ns
Anchura:
3,3 milímetros
Parte # alias:
BSZ097N10NS5 SP001132550
Peso de unidad:
0,001367 onzas
[WHO SOMOS] LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE HAOXIN HK LIMITÓ
Agente principal Distribution de las marcas famosas de IC: ALTERA/XILINX/ADI/TI/BROADCOM/LINEAR/CYPRESS/ST/MAXIM/NXP/LATTICE, etc. Nos calidad-orientan, principio orientado al servicio, entrega rápida, nuevo punto de empaquetado original, guardamos promesas de ganar el mercado, y a la mayoría de usuarios para crear un mejor futuro.
