Cualidad de producto	Valor del atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	P-canal
Número de canales:	Canal 2
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	20 V
Identificación - corriente continua del dren:	8 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	mOhms 19,2
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	3 V
Qg - carga de la puerta:	62 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	3,1 W
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	TrenchFET
Serie:	SI4
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Semiconductores de Vishay
Configuración:	Dual
Altura:	1,75 milímetros
Longitud:	4,9 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Cantidad del paquete de la fábrica:	2500
Subcategoría:	MOSFETs
Anchura:	3,9 milímetros
Parte # alias:	SI4943CDY-GE3
Peso de unidad:	0,006596 onzas

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