Este 100-V, 49 mΩ, HIJO MOSFET del poder de 3,3 del milímetro milímetros NexFET™ del × 3,3 se diseña para minimizar pérdidas de la conducción y para reducir huella del tablero en usos del PoE.

Cualidad de producto	Valor del atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	100 V
Identificación - corriente continua del dren:	A 14,4
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	61 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	3,2 V
Qg - carga de la puerta:	4,3 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	2,8 W
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	NexFET
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	2 ns
Altura:	0,9 milímetros
Longitud:	3,15 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	CSD19538Q3A
Cantidad del paquete de la fábrica:	2500
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	7 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	5 ns
Anchura:	3 milímetros
Peso de unidad:	0,000963 onzas

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