Estos MOSFETs del poder del canal N utilizan la tecnología de STripFET F7 con una estructura aumentada de la puerta del foso que dé lugar a resistencia muy baja del en-estado, mientras que también reduce la carga interna de la capacitancia y de la puerta para una transferencia más rápida y más eficiente.

Cualidad de producto	Valor del atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	H2PAK-2
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	100 V
Identificación - corriente continua del dren:	180 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	2,3 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	3,5 V
Qg - carga de la puerta:	180 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 175 C
Paladio - disipación de poder:	315 W
Modo del canal:	Aumento
Calificación:	AEC-Q101
Marca registrada:	STripFET
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	108 ns
Serie:	STH315N10F7-2
Cantidad del paquete de la fábrica:	1000
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	148 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	62 ns
Peso de unidad:	0,139332 onzas

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STH315N10F7-2/TO-263-3/MOSFETs

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