SUD50P06-15-GE3/MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin (2+Tab) DPAK del transporte
Notas:
a. Prueba del pulso; anchura de pulso
≤
300 μs, ciclo de trabajo
≤
el 2%.
b. Garantizado por diseño, no s
ubject a la prueba de la producción.
c. Independiente de la temperatura de funcionamiento
Notas:
a. Prueba del pulso; μs del ≤ 300 de la anchura de pulso, ≤ el 2% del ciclo de trabajo.
b. Garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
c. Independiente de la temperatura de funcionamiento.
Notas:
a. Prueba del pulso; anchura de pulso
≤
300 μs, ciclo de trabajo
≤
el 2%.
b. Garantizado por diseño, no s
ubject a la prueba de la producción.
c. Independiente de la temperatura de funcionamiento
Cualidad de producto Valor del atributo
Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Montaje de estilo: SMD/SMT
Paquete/caso: TO-252-3
Polaridad del transistor: P-canal
Número de canales: 1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 60 V
Identificación - corriente continua del dren: 50 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 15 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 3 V
Qg - carga de la puerta: 40 nC
Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
Paladio - disipación de poder: 113 W
Modo del canal: Aumento
Marca registrada: TrenchFET
Empaquetado: Carrete
Empaquetado: Corte la cinta
Empaquetado: MouseReel
Marca: Semiconductores de Vishay
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 30 ns
Transconductancia delantera - minuto: 61 S
Altura: 2,38 milímetros
Longitud: 6,73 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: SUD
Cantidad del paquete de la fábrica: 2000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 P-canal
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 65 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 8 ns
Anchura: 6,22 milímetros
Parte # alias: SUD50P06-15-BE3
Peso de unidad: 0,011640 onzas
