Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

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MOSFET del poder de los transistores de poder de Npn del silicio de IRF3205PBF 55V 110A 8.0mΩ

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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MOSFET del poder de los transistores de poder de Npn del silicio de IRF3205PBF 55V 110A 8.0mΩ

Preguntar último precio
Number modelo :IRF3205PBF
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :50pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :50000pcs por boca
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :1000PCS
Tipo :MOSFET de los transistores
Descripción :MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
Paquete :TO-220-3
Empaquetado :Caja de Tube&
Garantía :180 días después de enviar
Envío cerca :DHL \ UPS \ Fedex \ poste \ TNT del ccsme \ de HK
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Transistor de poder del MOSFET Npn del poder de los transistores de poder de Npn del silicio de IRF3205PBF 55V 110A 8.0mΩ

Descripción

Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar

extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y construida sólidamente

el diseño del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido para, provee del diseñador un extremadamente eficiente

y dispositivo confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a

aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su ancho

aceptación en la industria

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Características

                                                                                                              
• Tecnología de proceso avanzada
• En-resistencia ultrabaja
• Grado dinámico de dv/dt
• temperatura de funcionamiento 175°C
• Transferencia rápida
• Completamente avalancha clasificada
• Sin plomo

Especificaciones

Cualidad de producto Valor del atributo
Categoría de producto: MOSFET
Si
A través del agujero
TO-220-3
Canal N
1 canal
55 V
110 A
8 mOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
97,3 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Aumento
Tubo
Configuración: Solo
Altura: 15,65 milímetros
Longitud: 10 milímetros

Guía comercial

Envío Período de entrega Para las piezas en existencia, las órdenes se estiman para enviar hacia fuera en 3 días.
Una vez que está enviado, estimado plazo de expedición depende de los portadores abajo que usted eligió:
DHL expresa, 3-7 días laborales.
Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.
Tarifas de envío Después de confirmar la orden, evaluaremos el coste de envío basado en el peso de las mercancías
Opciones de envío Proporcionamos DHL, Fedex, el ccsme, SF expreso, y el envío internacional registrado del correo aéreo.
Seguimiento del envío Le notificaremos por el correo electrónico con número de seguimiento una vez que se envía la orden.

Vuelta

garantía

Vuelta Las devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas en el plazo de 30 días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y en el empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para el envío.
Garantía Todas las compras de Retechip vienen con una política de devoluciones de devolución de 30 días, esta garantía no se aplicará a ningún artículo donde los defectos han sido causados por la operación incorrecta de la asamblea, del fracaso del cliente para seguir instrucciones, de producto de la modificación, negligente o incorrecta del cliente
El ordenar

 

Pago

 

T/T, Paypal, tarjeta de crédito incluye la visa, amo, American Express.

 

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