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La transferencia del poder más elevado de los módulos CM200DY-12H 200A 1200V de Mitsubishi Igbt utiliza el tipo aislado
Descripción:
Los módulos de Mitsubishi IGBT se diseñan para el uso en usos que cambian. Cada módulo consiste en dos
IGBTs en una configuración del semipuente con cada transistor que tiene una recuperación ultrarrápida reverso-conectada
ande sin embragar el diodo. Todos los componentes e interconectan se aíslan de la placa de base de hundimiento del calor, ofreciendo
asamblea de sistema simplificada y gestión termal.
Usos
►Control de motor de CA
►Movimiento/servocontrol
►UPS
►Fuentes de alimentación de soldadura
Especificaciones
Grados máximos absolutos, Tj = °C 25 salvo especificación de lo contrario
Unidades del símbolo CM200DY-12H de los grados
Temperatura de empalme Tj – °C 40 a 150
Temperatura de almacenamiento Tstg – °C 40 a 125
Voltaje del Colector-emisor (CORTOCIRCUITO) de la GE VCES 600 voltios
Voltios del voltaje del Puerta-emisor (CORTOCIRCUITO) del C-E VGES ±20
Corriente de colector (TC = 25°C) IC 200 amperios
Amperios máximos del ICM 400* de la corriente de colector
Corriente del emisor ** (TC = 25°C) IE 200 amperios
Corriente máxima del emisor ** amperios de IEM 400*
Disipación máxima del colector (TC = 25°C, PC del £ de Tj 150°C) 780 vatios
Montando el esfuerzo de torsión, M5 terminal principal – 1,47 ~ N 1,96 · m
Montando el esfuerzo de torsión, M6 montaje – 1,96 ~ 2,94 N · m
Peso – 270 gramos
Voltaje del aislamiento (terminal principal a la placa de base, CA 1 mínima) Viso 2500 Vrms
Características
►Poder de la impulsión baja
►VCE bajos (se sentó)
►Recuperación ultrarrápida discreta
►Ande sin embragar el diodo
►operación de alta frecuencia de u
►Placa de base aislada para fácil
►Hundimiento del calor
Guías comerciales
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