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STGW80H65DFB aisló los transistores bipolares del transistor 650V 80A 469W IGBT de la puerta
Usos
• Inversores fotovoltaicos
• Convertidores de alta frecuencia
Especificaciones
Cualidad de producto | Valor del atributo |
---|---|
STMicroelectronics | |
Categoría de producto: | Transistores de IGBT |
Si | |
TO-247-3 | |
A través del agujero | |
Solo | |
650 V | |
1,6 V | |
- 20 V, + 20 V | |
120 A | |
469 W | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
Tubo | |
Corriente de colector continua Ic máxima: | 80 A |
Corriente de la salida del Puerta-emisor: | nA 250 |
Subcategoría: | IGBTs |
Peso de unidad: | 1,340411 onzas |
Descripción
Estos dispositivos son IGBTs desarrollado usando una estructura propietaria avanzada del fieldstop de la puerta del foso. Estos dispositivos son parte de las nuevas series de la HB de IGBTs, que representan un compromiso óptimo entre la conducción y la pérdida que cambia para maximizar la eficacia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, el coeficiente de temperatura levemente positivo de VCE (se sentó) y el resultado muy apretado de la distribución del parámetro en una operación que es paralelo a más segura.
Características
• Temperatura de empalme máxima: TJ = °C 175
• Serie que cambia de alta velocidad
• Corriente minimizada de la cola
• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 80 A
• Distribución apretada del parámetro
• El ser paralelo a seguro
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentó)
• Resistencia termal baja
• Diodo antiparalelo de la recuperación suave muy rápida
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Vuelta |
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