Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

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3 Años
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Circuito integrado del MOSFET BSC060N10NS3G del transistor del diodo de BOM IC en existencia

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Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissElena
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Circuito integrado del MOSFET BSC060N10NS3G del transistor del diodo de BOM IC en existencia

Preguntar último precio
Number modelo :BSC060N10NS3G
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1pcs
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :300000/pcs/week
Plazo de expedición :1-3day
Detalles de empaquetado :Paquete original
Descripción :MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
Común :300000
Método de envío :Expreso
Tipo entrado :Estándar
Fuente del voltaje - interna :Estándar
Condición :Original del 100%
Paquete :Bandeja, carrete, espuma del embalaje, caja
plazo de ejecución :1-3days
Calidad :De alta calidad
Expreso :Federal Express, tnt. DHL. el ccsme. sube.
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Nuevo circuito integrado original del MOSFET BSC060N10NS3G de los transistores de BOM en existencia

 

 

¡Recepción a nuestra compañía!

 

La compañía de Zesheng es uno de los distribuidores principales del mundo de semiconductores y de componentes electrónicos.

Ofrecemos la gama de productos más completa, de componentes y de clases activos, pasivos, electromecánicos de circuito integrado (IC). Todos de los fabricantes directos o de los distribuidores autorizados.

 

Especificaciones  
Cualidad de producto Valor del atributo
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Montaje de estilo: SMD/SMT
Paquete/caso: TDSON-8
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 100 V
Identificación - corriente continua del dren: 90 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 5,3 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 2 V
Qg - carga de la puerta: 68 nC
Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
Paladio - disipación de poder: 125 W
Modo del canal: Aumento
Marca registrada: OptiMOS
Serie: OptiMOS 3
Empaquetado: Carrete
Empaquetado: Corte la cinta
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 12 ns
Transconductancia delantera - minuto: 43 S
Altura: 1,27 milímetros
Longitud: 5,9 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 16 ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 45 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 20 ns
Anchura: 5,15 milímetros
Parte # alias: BSC6N1NS3GXT SP000446584 BSC060N10NS3GATMA1
Peso de unidad: 0,003527 onzas

 

Circuito integrado del MOSFET BSC060N10NS3G del transistor del diodo de BOM IC en existenciaCircuito integrado del MOSFET BSC060N10NS3G del transistor del diodo de BOM IC en existenciaCircuito integrado del MOSFET BSC060N10NS3G del transistor del diodo de BOM IC en existencia

P/N Fabricante Empaquetado Código de fecha Qty
ZB2BV006 Amphenol N/A 23+ 89000
ZB5AA434 Amphenol N/A 23+ 80000
ZB2BY9101 Amphenol N/A 23+ 30000
ZPD40524 Amphenol N/A 22+ 50000
ZB4BG720 Amphenol N/A 22+ 25000
ZB4BS1210 Amphenol N/A 22+ 35000
ZB4BS1212 Amphenol N/A 23+ 150000
ZULU-M868 Amphenol N/A 23+ 21000
ZB5AA73135 Amphenol N/A 23+ 12500
ZB5AG312 Amphenol N/A 23+ 60000
ZB4BD704 Amphenol N/A 22+ 12000
ZB5AG210 Amphenol N/A 22+ 30000
ZB5AA333 Amphenol N/A 23+ 90000
ZB5AA71115 Amphenol N/A 23+ 70000
ZPSA2012 Amphenol N/A 23+ 221900
ZB4BW7A37407 Amphenol N/A 23+ 30000
ZB4BG120 Amphenol N/A 22+ 30000
ZB2BY4915 Amphenol N/A 22+ 30000
ZB5AG214 Amphenol N/A 22+ 30000
ZCKM1H29 Amphenol N/A 23+ 49000
ZB4BD205 Amphenol N/A 23+ 25000
ZB4BA73417 Amphenol N/A 22+ 38000
ZSPM4012AA1W50 Amphenol N/A 22+ 125000
ZSPM4013AA1W18 Amphenol N/A 23+ 40000
ZB 5, LGS: FORTL.ZAHLEN 11- Amphenol N/A 23+ 25000
ZDU2.5-3A Amphenol N/A 23+ 123500
ZUW1R50515 Amphenol N/A 23+ 25800
ZUS30512 Amphenol N/A 21+ 78000
ZUS101205 Amphenol N/A 22+ 46500
ZSS-120-03-S-D-740 Amphenol N/A 23+ 13500
ZUW250512 Amphenol N/A 23+ 25800
ZQV2.5N-3G Amphenol N/A 23+ 35800
Z12006 160 Amphenol N/A 23+ 125000
ZQV 1,5/ Amphenol N/A 23+ 135000

Circuito integrado del MOSFET BSC060N10NS3G del transistor del diodo de BOM IC en existencia

Q1: ¿Quién son usted?

A1: Somos un distribuidor de componentes electrónicos. Nuestros productos incluyen IC. inductor, resistor, potenciómetro, condensador y módulo, etc. ¡Todo que usted puede pensar en componentes alrededor de electrónicos!

Q2: ¿Es usted productos originales?
A2: Todos los productos son sí originales y producidos por los fabricantes originales.

Q3: ¿Cuál es su garantía?
A3: 365 días después de que las mercancías se han recibido. Nuestros productos serán el 100% probado antes de que se envíen.

Q4: ¿Cómo pago la orden?
A4: Usted puede pagar por el TT, Paypal, Western Union y Alibaba en línea. O usted puede también consultarnos.
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