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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

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M29W160EB70N6E IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnología de Micron Inc.

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Número de modelo :M29W160EB70N6E

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Permanente

Formato de la memoria :FLASH

Tecnología :FLASH - NI

Tamaño de la memoria :16Mbit

Organización de la memoria :los 2M x 8, el 1M x 16

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :70ns

Tiempo de acceso :70 ns

Voltagem - Suministro :2.7V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :48-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m)

Paquete de dispositivos del proveedor :48-TSOP

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Detalles del producto

Resumen de las actividades

El M29W160E es una memoria no volátil de 16 Mbit (2Mb x8 o 1Mb x16) que se puede leer, borrar y reprogramar.Al encender la memoria por defecto a su modo de lectura donde se puede leer de la misma manera que una ROM o EPROM.

Resumen de las características

■ VOLTAJE de alimentación
VCC = 2.7V a 3.6V para programación, borrado y lectura
■ Tiempos de acceso: 70, 90 s
■ TIEMPO de programación
10μs por byte/Word típico
■ 35 BLOCOS de memoria
1 Bloque de arranque (localización superior o inferior)
2 parámetros y 32 bloques principales
■ CONTROLLER de programación y borrado
Los algoritmos de programación de byte/word incrustados
■ MODOS de borrado, de suspensión y de reanudación
Leer y programar otro bloque durante el borrador Suspender
■ Desbloquear el comando de programa de desvío
¢ Producción más rápida/programación por lotes
■ Modo de protección de bloque temporal
■ Interfaz flash común
Código de seguridad de 64 bits
■ BAJO CONSUMO de energía
 En espera y en espera automática
■ 100 000 ciclos de programación/borrado por bloque
■ Firma electrónica
️ Código del fabricante: 0020h
El código del dispositivo superior M29W160ET: 22C4h.
¢ Código del dispositivo inferior M29W160EB: 2249h

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete	48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor	48-TSOP
Capacidad de memoria	16M (2M x 8, 1M x 16)
Tipo de memoria	FLASH - Ni siquiera
Velocidad	70 años
Formatos de memoria	El flash.
El Sr.	Tecnología de Micron Inc.
Paquete	Envases
Estado del producto	No está disponible
Tipo de memoria	No volátiles
Formato de memoria	El flash.
Tecnología	FLASH - Ni siquiera
Tamaño de la memoria	16 Mb (2M x 8 1M x 16)
Interfaz de memoria	En paralelo
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página	70 años
Tiempo de acceso	70 ns
Fuente de suministro de tensión	Las partidas de los componentes de las placas de aluminio
Tipo de montaje	Montura de la superficie
Cuadro de paquete	48-TFSOP (0.724" 18,40 mm de ancho)
Número del producto de base	M29W160

Descripciones

Flash - NOR IC de memoria de 16 Mb (2M x 8, 1M x 16) paralelo 70ns 48-TSOP

NOR Flash paralelo 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns bandeja TSOP de 48 pines

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