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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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China TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad. wholesale

TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.

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Número de modelo :El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Permanente

Formato de la memoria :FLASH

Tecnología :FLASH - NAND (SLC)

Tamaño de la memoria :1Gbit

Organización de la memoria :el 128M x 8

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :25ns

Tiempo de acceso :25 ns

Voltagem - Suministro :2.7V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :63-VFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :63-TFBGA (9x11)

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Detalles del producto

85 oC, condensador de uso general de alta ondulación

El tipo TC es un condensador electrolítico de aluminio de uso general de 85 oC, de larga vida útil de 1000 horas y conducido por un eje de plomo, con una corriente de ondulación elevada y adecuado para aplicaciones en equipos electrónicos de consumo..

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	BenandTM
Embalaje	Envases
Cuadro de paquete	Se aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán estar equipadas con un dispositivo de ensayo de alta precisión.
Capacidad de memoria	1G (128M x 8)
Tipo de memoria	EEPROM - NAND
Velocidad	25 días
Formatos de memoria	EEPROM - en serie

Descripciones

FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gb (128M x 8) paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)

SLC NAND Flash paralelo 3.3V 1G-bit

EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND

Carro de la investigación 0