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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

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Número de modelo :R1LP0108ESF-5SI#B0

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM

Tamaño de la memoria :1 Mbit

Organización de la memoria :128K x 8

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :55ns

Tiempo de acceso :55 ns

Voltagem - Suministro :4.5V ~ 5.5V

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :32-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m)

Paquete de dispositivos del proveedor :32-TSOP I

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Detalles del producto

Descripción

La serie R1LV0108E es una familia de RAM estáticas de 1 Mbit de bajo voltaje organizadas como 131.072 palabras por 8 bits, fabricadas por las tecnologías CMOS y TFT de alto rendimiento de 0.15um de Renesas.La serie R1LV0108E ha logrado una mayor densidadLa serie R1LV0108E es adecuada para aplicaciones de memoria en las que una interfaz simple,El funcionamiento de la batería y el respaldo de la batería son los objetivos de diseño importantesSe ha empaquetado en SOP de 32 pines, TSOP de 32 pines y sTSOP de 32 pines.

Características

• Fuente de alimentación única de 2,7 a 3,6 V
• Corriente de espera pequeña: 1 μA (3,0 V, típico)
• Sin relojes, sin actualización
• Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL.
• Fácil expansión de la memoria mediante CS1# y CS2
• E/S de datos comunes
• Salidas de tres estados: Capacidad de vinculación de OR
• OE# evita la contención de datos en el bus de E/S

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Renesas Electronics América
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete	32-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor	32 - TSP (8x20)
Capacidad de memoria	1M (128K x 8)
Tipo de memoria	La SRAM
Velocidad	55 años
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

IC de memoria SRAM de 1 Mb (128K x 8) paralelo a 55ns 32-TSOP (8x20)

Chip de SRAM asíncrono de 5V 1M-bit 128K x 8 55ns 32 pines en la bandeja TSOP-I

Carro de la investigación 0