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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

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Número de modelo :Se aplicará el método siguiente:

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :SDRAM-DDR

Tamaño de la memoria :128Mbit

Organización de la memoria :4M x 32

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :200 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns

Tiempo de acceso :700 picosegundos

Voltagem - Suministro :2.3V ~ 2.7V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :144-LFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :144-LFBGA (12 x 12)

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Detalles del producto

Características

● Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Baja tensión (L): VDD y VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatible con el pasado con 1.5V
● Alta velocidad de transferencia de datos con sistema
con una frecuencia de hasta 933 MHz
● 8 bancos internos para el funcionamiento simultáneo
● Arquitectura de pre-recuperación de 8n bits
● La latencia del CAS programable
● La latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
● La latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
● Largura de ráfaga programable: 4 y 8
● Secuencia de ráfagas programable: secuencial o intercalada
● Interrupción de BL en el vuelo
● Auto actualización (ASR)
● Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
● Intervalo de actualización:
7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Auto-refrescamiento de una matriz parcial
● Pin de restablecimiento asíncrono
● TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
● OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
● ODT dinámico (terminado en el momento de la matriz)
● Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ¢)
● Escribir nivelación
● Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
● Temperatura de funcionamiento:
Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
Industriales (TC = -40°C a +95°C)
Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	El ISSI
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
El tipo	DDR1
Embalaje	Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Estilo de montaje	DSM/SMT
Cuadro de paquete	144-LFBGA
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	2.3 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedor	144-LFBGA (12 x 12)
Capacidad de memoria	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero
Tipo de memoria	DDR SDRAM
Velocidad	200 MHz
Tiempo de acceso	5 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento	0 C
Organizaciones	4 M x 32
Alimentación de corriente máxima	320 mA
Ancho del bus de datos	32 bits
Válvula de alimentación	2.7 V
Válvula de alimentación	2.3 V
Cuadro de paquete	El LFBGA-144
Frecuencia máxima del reloj	200 MHz

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR de 128 Mb (4M x 32) paralelo a 200 MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)

Chip de DRAM DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA T/R

La memoria DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v

Carro de la investigación 0