Categorías de Producto

Unidad del microcontrolador de MCU

[523]

Circuitos integrados del interfaz

[17]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

[6]

IC de adquisición de datos

[7]

Contacta

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Visita el sitio web

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

Ver detalles de contacto

Contacta

71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Preguntar último precio

Número de modelo :Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

tecnología :SRAM - Síncrono, SDR

Tamaño de la memoria :4.5Mbit

Organización de la memoria :128K x 36

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :166 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-

Tiempo de acceso :3,5 ns

Voltagem - Suministro :3.135V ~ 3.465V

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :100-LQFP

Paquete de dispositivos del proveedor :100-TQFP (14x20)

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Detalles del producto

Descripción

El IDT71V256SA es una memoria RAM estática de 262.144 bits de alta velocidad organizada como 32K x 8. Está fabricada utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento y alta confiabilidad de IDT.

Características

• Ideal para procesadores de alto rendimiento con caché secundario
• Comercial (0° a 70°C) e industrial (-40° a 85°C)
opciones de temperatura
• Tiempos de acceso rápidos:
Commercial: 10/12/15/20ns
¢ Industriales: 15 años
• Baja corriente de espera (máximo):
2mA en estado de espera completo
• Paquetes pequeños para diseños espaciales:
¢ 28 pines 300 mil SOJ
- 28 pines 300 mil DIP de plástico (sólo comercial)

• Producido con CMOS avanzado de alto rendimiento
tecnología
• Las entradas y salidas son compatibles con LVTTL
• Fuente de alimentación única de 3,3 V (± 0,3 V)

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Sistemas de circuitos integrados
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
El tipo	Sincronizado
Embalaje	Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Unidad de peso	0.023175 onzas
Estilo de montaje	DSM/SMT
Cuadro de paquete	100 LQFP
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	3.135 V ~ 3.465 V
Envase del producto del proveedor	Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Capacidad de memoria	4.5M (128K x 36)
Tipo de memoria	El valor de la carga de la unidad de recolección será el valor de la carga de la unidad de recolección.
Velocidad	166MHz
Tiempo de acceso	3.5 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento	0 C
Tipo de interfaz	En paralelo
Organizaciones	128 k x 36
Alimentación de corriente máxima	320 mA
Parte-#-Alias	Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Válvula de alimentación	3.465 V
Válvula de alimentación	3.135 V
Cuadro de paquete	TQFP-100: las condiciones de los productos
Frecuencia máxima del reloj	166 MHz

Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
IDT71V25761S166PFI8 Memoria	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, plástico, TQFP-100	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un producto de fabricación en el que se utilizan productos de fabricación en el sector de los automóviles. Memoria	La memoria RAM de caché SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1,40 MM de altura, verde, plástico, TQFP-100	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 y otros dispositivos de almacenamiento de datos	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El objetivo de la medida es garantizar que los riesgos de los vehículos no se vean afectados.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. Memoria	TQFP-100, bandeja	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, plástico, TQFP-100	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisión de gases de efecto invernadero.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de identificación. Memoria	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 y otros dispositivos de almacenamiento de datos	Tecnología de dispositivos integrados Inc.	El objetivo de la evaluación es evaluar los resultados obtenidos en el marco de la evaluación.

Descripciones

SRAM - IC de memoria síncrona de 4,5 Mb (128K x 36) paralelo a 166 MHz 3,5 ns 100-TQFP (14x20)

El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de recolección de energía se calculará en función de las emisiones de CO2 de las instalaciones de recolección de energía.

Carro de la investigación 0