Descripción general
Las Spansion S29WS256/128/064N son productos MirrorbitTM Flash fabricados con tecnología de proceso de 110 nm.Estos dispositivos flash de modo burst son capaces de realizar operaciones de lectura y escritura simultáneas con latencia cero en dos bancos separados utilizando datos y pines de dirección separadosEstos productos pueden operar hasta 80 MHz y utilizan un único VCC de 1,7 V a 1,95 V, lo que los hace ideales para las exigentes aplicaciones inalámbricas actuales que requieren una mayor densidad.mejor rendimiento y menor consumo de energía.
Características distintivas
■ Lectura/programación/borrado de 1.8 V de una sola vez (1.701.95 V)
■ Tecnología MirrorBitTM de 110 nm
■ Lectura/escritura simultánea con cero
latencia
■ Buffer de escritura de 32 palabras
■ Arquitectura de 16 bancos compuesta por 16/8/4
Las condiciones para WS256N/128N/064N, respectivamente
■ Cuatro sectores de 16 Kword tanto en la parte superior como en la parte inferior de la
matriz de memoria
■ 254/126/62 64 Sectores de la energía (WS256N/128N/)
064N)
■ Modos de lectura de ráfagas programables
️ Lineal para 32, 16 u 8 palabras lineal leído con o
sin envoltura
¢ Modo de lectura secuencial continua
■ SecSiTM (Secured Silicon) Región del sector compuesta por:
de 128 palabras cada una para fábrica y cliente
■ 20 años de conservación de los datos (típico)
■ Ciclismo: 100 000 ciclos por sector
(típico)
■ La salida RDY indica los datos disponibles para el sistema
■ Conjunto de comandos compatible con JEDEC (42.4)
normalidad
■ Protección por hardware (WP#) de la parte superior y inferior
Sectores
■ Configuración de dos sectores de las botas (arriba y abajo)
■ Paquetes ofrecidos
¢ WS064N: FBGA de 80 bolas (7 mm x 9 mm)
¢ WS256N/128N: FBGA de 84 bolas (8 mm x 11,6 mm)
■ Inhibidores de la escritura de VCC bajos
■ Métodos persistentes y de contraseña de
Protección del sector
■ Los bits de estado de operación de escritura indican el programa y
finalización de la operación de borrado
■ Suspender y reanudar los comandos de programación y
Operaciones de borrado
■ Desbloquear el comando de programa de Bypass para reducir
tiempo de programación
■ Programación sincrónica o asíncrona,
independientes de los ajustes del registro de control de explosión
■ Pin de entrada ACC para reducir el tiempo de programación en fábrica
■ Soporte para la interfaz flash común (CFI)
■ Rango de temperaturas industriales (fábrica de contacto)
