Categorías de Producto

Unidad del microcontrolador de MCU

[518]

Circuitos integrados del interfaz

[17]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

[6]

IC de adquisición de datos

[7]

Contacta

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Visita el sitio web

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

Ver detalles de contacto

Contacta

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Preguntar último precio

Número de modelo :Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :El número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas

Tamaño de la memoria :16Mbit

Organización de la memoria :el 1M x 16

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :-

Tiempo de acceso :25 ns

Voltagem - Suministro :3 V ~ 3,6 V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :42-BSOJ (0,400", ancho de 10,16 mm)

Paquete de dispositivos del proveedor :42-SOJ

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Detalles del producto

Descripción

El ISSIIS41LV16100B es 1,048, 576 x 16 bits de alto rendimiento CMOS Dynamic Random Access Memories. Estos dispositivos ofrecen un acceso de ciclo acelerado llamado EDO Page Mode.024 accesos aleatorios dentro de una sola fila con un tiempo de ciclo de acceso tan corto como 20 ns por palabra de 16 bits.

Características

• Entradas y salidas compatibles con TTL; E/S de tres estados
• Intervalo de actualización:
Modo de actualización automática: 1,024 ciclos /16 ms
¢ Solo RAS, CAS antes de RAS (CBR) y oculto
• Descripción de la norma JEDEC
• Fuente de alimentación única: 3,3 V ± 10%
• Byte Write y Byte Read operación a través de dos CAS
• Rango de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponible sin plomo

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	El ISSI
Categoría de productos	Chips de circuito integrado
Serie	-
Embalaje	El tubo
Cuadro de paquete	Los productos de la sección 4 del presente Reglamento se clasifican en el anexo II del Reglamento (CE) n.o 1272/2008 de la Comisión.
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor	42-SOJ
Capacidad de memoria	16M (1M x 16)
Tipo de memoria	El número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas
Velocidad	50 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

Memoria DRAM-EDO IC de 16 Mb (1M x 16) paralelo 25ns 42-SOJ

Carro de la investigación 0