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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Categorías de Producto

Circuito integrado IC

 [17]

Módulo del RF IC

 [34]

Gestión ICs del poder

 [787]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [523]

Circuito integrado de FPGA

 [11]

Sensor del circuito integrado

 [15]

Circuitos integrados del interfaz

 [17]

Aislador opto de Digitaces

 [6]

IC de memoria flash

 [362]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

 [6]

Chip CI del amplificador

 [185]

Sincronización IC del reloj

 [6]

IC de adquisición de datos

 [7]
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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
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China MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnología de micrófonos Inc. wholesale
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MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.
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Número de modelo :MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :PSRAM
Tecnología :PSRAM (pseudo SRAM)
Tamaño de la memoria :16Mbit
Organización de la memoria :el 1M x 16
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :-
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :70ns
Tiempo de acceso :70 ns
Voltagem - Suministro :1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :48-VFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :48-VFBGA (6x8)
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Detalles del producto

SOT23 NPN TRANSISTOR PLANAR de silicio de alto rendimiento

Características

* Baja resistencia de encendido equivalente; RCE (sat) 400mΩ a 1A
* 1 Amp de corriente continua
* Ptot= 500 mW

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete Se aplicarán las siguientes medidas:
Temperatura de funcionamiento -30 °C ~ 85 °C (TC)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedor El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad.
Capacidad de memoria 16M (1M x 16)
Tipo de memoria Se trata de una serie de medidas de control de los riesgos.
Velocidad 70 años
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

PSRAM (pseudo SRAM) IC de memoria de 16 Mb (1M x 16) paralelo a 70 ns 48-VFBGA (6x8)
Carro de la investigación 0

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