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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

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MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

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Número de modelo :MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M420

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :SDRAM-DDR2

Tamaño de la memoria :256Mbit

Organización de la memoria :el 16M x 16

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :267 megaciclos

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns

Tiempo de acceso :500 picosegundos

Voltagem - Suministro :1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamiento :0°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :Las demás partidas de la partida 84

Paquete de dispositivos del proveedor :Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad de las máquinas de ensay

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Detalles del producto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje
Cuadro de paquete	Las demás partidas de la partida 84
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 85 °C (TC)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedor	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad de las máquinas de ensayo de alta potencia
Capacidad de memoria	256M (16M x 16)
Tipo de memoria	DDR2 SDRAM
Velocidad	3.75ns
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR2 de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 267 MHz 500ps 84-FBGA (8x14)

Carro de la investigación 0