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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Alianza de la memoria, Inc.

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Número de modelo :Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Asincrónico

Tamaño de la memoria :256Kbit

Organización de la memoria :32K x 8

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :12ns

Tiempo de acceso :12 ns

Voltagem - Suministro :4.5V ~ 5.5V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de ancho)

Paquete de dispositivos del proveedor :28-SOJ

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Detalles del producto

Descripción funcional

El AS7C256A es un dispositivo CMOS de alto rendimiento de 5.0V de 262,144 bits de memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) organizado como 32,768 palabras × 8 bits.Está diseñado para aplicaciones de memoria que requieren acceso rápido a datos a baja tensiónEl diseño avanzado de circuitos y las técnicas de proceso de la Alianza permiten un funcionamiento de 5.0V sin sacrificar el rendimiento o los márgenes de operación.

Características

• Pin compatible con AS7C256
• Opciones de temperatura industriales y comerciales
• Organización: 32.768 palabras × 8 bits
• Alta velocidad
- 10/12/15/20 ns tiempo de acceso a la dirección
- 5, 6, 7, 8 ns de salida permitir el tiempo de acceso
• Consumo de energía muy bajo: Activa
- 412,5 mW máximo @ 10 ns
• Consumo de energía muy bajo: STANDBY
- 11 mW máximo de entrada y salida CMOS
• Fácil expansión de la memoria con entradas CE y OE
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• paquetes estándar JEDEC de 28 pines
- 300 millones de SOJ
- 8 × 13,4 mm TSOP 1
• Protección ESD ≥ 2000 voltios
• Corriente de cierre ≥ 200 mA
• 2,0 V de retención de datos

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo de los tubos
Cuadro de paquete	28-BSOJ (.300", 7,62 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor	28 SOJ
Capacidad de memoria	256K (32K x 8)
Tipo de memoria	La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad	12 días
Formatos de memoria	Memoria RAM

Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
PDM41256LB12SO Memoria	La RAM estándar, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28	Corporación IXYS	Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías A, B y C.
Los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor de motor. Memoria	La RAM estándar es de 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28.	Semiconductor de Samsung	Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. Memoria	Se trata de una memoria de memoria de tipo SRAM estándar, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, libre de plomo, plástico, SOJ-28.	Alianza de la memoria Inc.	Las condiciones de las pruebas de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.
Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria	La RAM estándar es de 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28.	Alianza de la memoria Inc.	Las condiciones de las pruebas de ensayo se especifican en el anexo I del presente Reglamento.
Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas. Memoria	La RAM estándar es de 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28.	Semiconductor de Samsung	Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B se determinarán en función de las condiciones de los vehículos de las categorías A y B.
KM68257EJ-12 Memoria	La RAM estándar es de 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28.	Semiconductor de Samsung	Las medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A y B.
KM68257CJ-12 Memoria	La RAM estándar es de 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28.	Semiconductor de Samsung	Las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros y pasajeros deben ser las siguientes:

Descripciones

SRAM - IC de memoria asincrónica de 256Kb (32K x 8) paralelo 12ns 28-SOJ

La capacidad de almacenamiento de la memoria es de un mínimo de 10 GB.

Carro de la investigación 0