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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

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China MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una tecnología que se utiliza para la obtención de datos y para la obtención de datos. wholesale

MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una tecnología que se utiliza para la obtención de datos y para la obtención de datos.

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Número de modelo :MT416M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :SDRAM - LPDDR móvil

Tamaño de la memoria :512Mbit

Organización de la memoria :el 16M x 32

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :166 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns

Tiempo de acceso :5 ns

Voltagem - Suministro :1.7V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :90-VFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad

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Detalles del producto

Dispositivos móviles de baja potencia DDR SDRAM

Características

• VDD/VDDQ = 1,70 1,95 V
• Estrobo bidireccional de datos por byte de datos (DQS)
• Arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR) en tubería; dos accesos de datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• DQS alineado en el borde con los datos de READ; centro alineado con los datos de WRITE
• 4 bancos internos para el funcionamiento simultáneo
• Máscaras de datos (DM) para enmascarar datos de escritura; una máscara por byte
• Largomas de ráfaga programables (BL): 2, 4, 8 o 16
• Se admite la opción de precarga automática simultánea
• Modos de actualización automática y autoactualización
• Entradas compatibles con LVCMOS de 1,8 V
• Autoactualización compensada por la temperatura (TCSR)
• Autoactualización de matriz parcial (PASR)
• Desactivación profunda (DPD)
• Registro de lectura de estado (SRR)
• Fuerza de accionamiento de salida seleccionable (DS)
• Capacidad para detener el reloj
• 64 ms de actualización, 32 ms para la temperatura del automóvil

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje
Cuadro de paquete	90 VFBGA
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedor	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad
Capacidad de memoria	512M (16M x 32)
Tipo de memoria	Dispositivos de almacenamiento de datos
Velocidad	166MHz
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - Memoria LPDDR móvil IC 512Mb (16M x 32) paralela a 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)

Carro de la investigación 0