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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alianza de la Memoria, Inc.

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Número de modelo :AS4C2M32SA-6TCN

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :SDRAM

Tamaño de la memoria :64Mbit

Organización de la memoria :2M x 32

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :166 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :2ns

Tiempo de acceso :5,5 ns

Voltagem - Suministro :3 V ~ 3,6 V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :86-TFSOP (0,400", anchura de 10.16m m)

Paquete de dispositivos del proveedor :86-TSOP II

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Detalles del producto

Descripción funcional

La AS4C256K16E0 es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de 4 megabits de alto rendimiento organizada en 262.144 palabras por 16 bits.El AS4C256K16E0 está fabricado con tecnología CMOS avanzada y diseñado con técnicas de diseño innovadoras que resultan en alta velocidad, muy baja potencia y amplios márgenes de funcionamiento a nivel de componentes y sistemas.

Características

• Organización: 262.144 palabras × 16 bits
• Alta velocidad
- tiempo de acceso al RAS de 30/35/50 ns
- 16/18/25 ns tiempo de acceso a la dirección de la columna
- 7/10/10/10 ns Tiempo de acceso al CAS
• Bajo consumo energético
- Activo: 500 mW máximo (AS4C256K16E0-25)
- En espera: 3,6 mW máximo, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• Modo de página EDO
• Refrescarse
- 512 ciclos de actualización, intervalo de actualización de 8 ms
- Actualización o autoactualización de RAS únicamente o de CAS antes de RAS
- La opción de actualización automática está disponible sólo para dispositivos de nueva generación.
• Leer, modificar y escribir
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• Los paquetes estándar de JEDEC
- 400 mil, 40 pines de SOJ
- 400 mil, 40/44-pin TSOP II
• Fuente de alimentación de 5 V
• Corriente de cierre > 200 mA

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Envases
Cuadro de paquete	86-TFSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor	Las condiciones de los productos de la categoría 1
Capacidad de memoria	64M (2M x 32)
Tipo de memoria	SDRAM
Velocidad	166MHz
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

IC de memoria SDRAM de 64 Mb (2M x 32) paralelo a 166 MHz 5.5ns 86-TSOP II

La memoria DRAM es una memoria SDRAM de 64M.3.3V 166MHz, 2M x 32

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