Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Las autoridades chinas han informado a la Comisión de que no se han producido cambios en el régimen de importación.

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
3 Años
Casa / Productos / Flash Memory IC /

IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Contacta
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Visita el sitio web
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
Contacta

IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Preguntar último precio
Número de modelo :El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :PSRAM
Tecnología :PSRAM (pseudo SRAM)
Tamaño de la memoria :32Mbit
Organización de la memoria :los 2M x 16
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :-
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :70ns
Tiempo de acceso :70 ns
Voltagem - Suministro :1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :54-VFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor :Se trata de un sistema de control de velocidad.
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Detalles del producto

Descripción

The IS66_ series are optically coupled isolators consisting of infrared light emitting diode and a high voltage NPN silicon photo darlington which has an integral base-emitter resistor to optimise switching speed and elevated temperature characteristics in a standard 6pin dual in line plastic package.

Características

• Opciones :-
Extensión de plomo de 10 mm - añadir G después del número de la pieza.
Montura superficial - añadir SM después del número de la pieza.
Cintas y bobinas - añadir SMT&R después del número de la parte.
• Alta tensión de aislamiento (5,3 kVRMS),7.5kVPK)
• Alta tasa de transferencia de corriente (1000% min)
• Alta BVCEO (400V min. - IS662)
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono.
(Mín. de 200 V - IS660)

Las aplicaciones

• Modems
• Copiadoras y facsímil
• Máquinas de control numérico
• Transmisión de señales entre sistemas de diferentes potenciales e impedancia

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ISSI
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete Las condiciones de las partidas 1 y 2 se aplicarán a las partidas 2 y 3 del presente anexo.
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedor Se trata de un sistema de control de velocidad.
Capacidad de memoria 32M (2M x 16)
Tipo de memoria Se trata de un documento de identificación de la entidad.
Velocidad 70 años
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

PSRAM (pseudo SRAM) IC de memoria de 32 Mb (2M x 16) paralelo a 70 ns 54-VFBGA (6x8)
Carro de la investigación 0