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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MissZhao

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China AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 25 GB. wholesale

AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado con una capacidad de almacenamiento de 25 GB.

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Número de modelo :Se aplicarán los siguientes requisitos:

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :SRAM

Tecnología :SRAM - Asincrónico

Tamaño de la memoria :256Kbit

Organización de la memoria :32K x 8

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :-

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :10ns

Tiempo de acceso :10 ns

Voltagem - Suministro :4.5V ~ 5.5V

Temperatura de funcionamiento :0 °C ~ 70 °C (TA)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :28-TSSOP (0,465", 11,80 mm de ancho)

Paquete de dispositivos del proveedor :28-TSOP I

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Detalles del producto

Descripción funcional

El AS7C256A es un dispositivo CMOS de alto rendimiento de 5.0V de 262,144 bits de memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) organizado como 32,768 palabras × 8 bits.Está diseñado para aplicaciones de memoria que requieren acceso rápido a datos a baja tensiónEl diseño avanzado de circuitos y las técnicas de proceso de la Alianza permiten un funcionamiento de 5.0V sin sacrificar el rendimiento o los márgenes de operación.

Características

• Pin compatible con AS7C256
• Opciones de temperatura industriales y comerciales
• Organización: 32.768 palabras × 8 bits
• Alta velocidad
- 10/12/15/20 ns tiempo de acceso a la dirección
- 5, 6, 7, 8 ns de salida permitir el tiempo de acceso
• Consumo de energía muy bajo: Activa
- 412,5 mW máximo @ 10 ns
• Consumo de energía muy bajo: STANDBY
- 11 mW máximo de entrada y salida CMOS
• Fácil expansión de la memoria con entradas CE y OE
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• paquetes estándar JEDEC de 28 pines
- 300 millones de SOJ
- 8 × 13,4 mm TSOP 1
• Protección ESD ≥ 2000 voltios
• Corriente de cierre ≥ 200 mA
• 2,0 V de retención de datos

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete	28-TSSOP (0,465", ancho de 11,80 mm)
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor	28-TSOP I
Capacidad de memoria	256K (32K x 8)
Tipo de memoria	La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad	10 días
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

SRAM - IC de memoria asincrónica de 256Kb (32K x 8) paralelo 10ns 28-TSOP I

La capacidad de almacenamiento de la memoria SRAM será de 256,5 K, 5 V, 10 ns, FAST 32K x 8 SRAM Asíncrona

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