Productos proveedores Sign in Register

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Las autoridades chinas han informado a la Comisión de que no se han producido cambios en el régimen de importación.

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
3 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Flash Memory IC /

RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Categorías de Producto

Circuito integrado IC

 [17]

Módulo del RF IC

 [34]

Gestión ICs del poder

 [787]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [523]

Circuito integrado de FPGA

 [11]

Sensor del circuito integrado

 [15]

Circuitos integrados del interfaz

 [17]

Aislador opto de Digitaces

 [6]

IC de memoria flash

 [362]

ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica

 [6]

Chip CI del amplificador

 [185]

Sincronización IC del reloj

 [6]

IC de adquisición de datos

 [7]
Contacta
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Visita el sitio web
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissZhao
Ver detalles de contacto
Contacta
China RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias wholesale
  • China RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias wholesale

RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias
Preguntar último precio
Número de modelo :Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de suministro :En stock
Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón
Tipo de la memoria :Volátil
Formato de la memoria :SRAM
Tecnología :SRAM
Tamaño de la memoria :4Mbit
Organización de la memoria :256K × 16
Interfaz de la memoria :En paralelo
Frecuencia de reloj :-
Escriba la duración de ciclo - palabra, página :45ns
Tiempo de acceso :45 ns
Voltagem - Suministro :2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Envase / estuche :44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Paquete de dispositivos del proveedor :44-TSOP II
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics América
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor Los requisitos de seguridad de los sistemas de control de velocidad se aplicarán a los sistemas de control de velocidad.
Capacidad de memoria 4M (256K x 16)
Tipo de memoria La SRAM
Velocidad 45 años
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

Memoria SRAM IC de 4 Mb (256K x 16) paralelo 45ns 44-TSOP2
Se trata de una memoria RAM de 4 MB 3V X16 TSOP44 45NS -4
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4