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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Ciudad:shenzhen

País/Región:china

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China MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en datos digitales, que incluye la información de los datos de los usuarios y de las empresas. wholesale

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en datos digitales, que incluye la información de los datos de los usuarios y de las empresas.

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Número de modelo :MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

Cantidad mínima de pedido :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de suministro :En stock

Tiempo de entrega :3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje :Bolsa antistática y caja de cartón

Tipo de la memoria :Volátil

Formato de la memoria :COPITA

Tecnología :SDRAM-DDR2

Tamaño de la memoria :512Mbit

Organización de la memoria :128M x 4

Interfaz de la memoria :En paralelo

Frecuencia de reloj :400 MHz

Escriba la duración de ciclo - palabra, página :15ns

Tiempo de acceso :400 picosegundos

Voltagem - Suministro :1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamiento :0°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Envase / estuche :60-TFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor :60-FBGA (8x10)

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Detalles del producto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	-
Embalaje	Envases
Cuadro de paquete	60 - TFBGA
Temperatura de funcionamiento	0 °C ~ 85 °C (TC)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedor	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría M2
Capacidad de memoria	512M (128Mx4)
Tipo de memoria	DDR2 SDRAM
Velocidad	2.5ns
Formatos de memoria	Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR2 de 512 Mb (128 M x 4) paralelo a 400 MHz 400ps 60-FBGA (8x10)

Chip DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60 pin FBGA

Carro de la investigación 0